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研究内容

フォトニクスとエレクトロニクスの融合に向けた革新的基盤技術の研究開発を行うことを目的としています。 「先端デバイス技術」として、シリコン上に高密度実装可能な光変調器、受光器、光源などの光素子を開発します。加えて、将来の一層の高密度化に不可欠の、シリコン直接光源の研究も推進します。LSI搭載に向けた「光電子集積化技術」では、オンチップサーバ実現に向けた種々の光配線技術、集積化技術の研究開発を行うとともに、マイルストーンとしてシステムの実証デモを実施します。

研究開発項目

• 先端デバイス技術開発
• 光変調器技術開発：　シリコン変調器、シリコン・ゲルマニウム変調器、フォトニックナノ構造変調器
• 受光器技術開発
• 光源技術開発：　シリコン（IV族半導体）直接光源、シリコン・ナノレーザ
• 光電子集積化技術開発
• 光配線技術開発：　光配線・導波路、集積プロセス基盤
• 集積化技術開発：　3次元光配線、光源実装
• LSI設計・デモ実証：　LSI回路設計、LSI搭載に向けたフォトニクス集積回路デモ実証